产品采用移项全桥方式工作，处理器采用高速32位浮点运算处理器，通过IGBT、高频变压器、整流桥、滤波器等输出一个可调、隔离的直流电压，由于功率增大一倍，主电容采用薄膜电容，并且贴近IGBT模块供电，此结构在应用上有突出的表现，加上使用了内阻很小的薄膜电容，整体装置在控制上与以前产品差异不大，但是在功率等级上有很大的提升。

薄膜电容具有无极性，绝缘阻抗高，频率特性优异(频率响应宽广)等特点，而且介质损失很小等优点。此款产品中使用薄膜电容，充分发挥的薄膜电容的优点。薄膜电容越靠近IGBT模块供电，在功率大的情况下，铜排的杂散电感影响的越小。

技术指标：

    输入电压：3~AC380V±15%；

置功率：50KW；

输出电压：DC 0-500V；

输出电流：DC0-100A。